マテリアル技術

Material Technologies

1991年に省エネルギーを実現するパワー半導体材料として炭化ケイ素(SiC)材料研究を開始し、SiC結晶成長技術とデバイス設計技術の両面から研究を推進しました。シミュレーション技術や原子レベルでの分析技術を駆使しながら、独自の手法で結晶欠陥の少ない高品質なSiCウエハ技術を確立しました。また、SiCウエハを用いたトレンチ型MOSFETを実現させ、当社にて量産を開始したSiCパワー半導体の礎を築くことができました。

現在は、新たなモビリティー社会の実現に向けて、上記で培った技術を進化させながら、原子分子レベルで構造制御した新機能材料の開発に取り組んでいます。

  • SiCパワー半導体ウエハ及びデバイス
    SiCパワー半導体ウエハ及びデバイス

    結晶欠陥低減技術
    トレンチ型MOSFET技術

  • 昇圧用パワーモジュール
    昇圧用パワーモジュール

    高効率インバータ制御技術
    SiCパワーカード技術

四位一体の研究アプローチ

計算⇒合成⇒分析⇒統計解析の4つの研究ステップをデジタルツインで推進することで、材料の組成最適化や特性向上、新機能材料の創出などを短期間で実現していきます。

四位一体の研究アプローチ

これまで蓄積した“計算⇒合成⇒分析” をコアにしたデータ駆動型で新材料の研究開発を進化

材料の開発期間を短縮するため、四位一体のデータ駆動型アプローチに取り組んでいます。これまでに培った計算、合成、分析の基盤技術を、更に高性能かつ高速化して、大規模データを収集しています。得られたデータは、知識や経験により解析するとともに、数理統計に基づいたデータ解析も実施。人知とAIの活用により、未知材料の開発を加速させています。

  • 高性能磁石(ポストネオジム磁石)

    鉄隕石中に微量存在するFeNi超格子(Fe原子とNi原子が規則配列)磁石材料の人工合成に成功
    (適用先例:モータ)

    出典: Goto, S. et al., Sci. Rep. 7, 16627, (2017).

  • 高プロトン伝導性電解質(ポストナフィオン)

    配位高分子を用いた中温・無加湿で作動する高プロトン伝導性材料を創出
    (適用先例:燃料電池)

    出典:Ogawa, T. et al., Chem. Sci. 11, 5175-5181, (2020).

  • 電動モビリティ

    電動モビリティ
  • エネルギーマネジメント

    エネルギーマネジメント